中国大学mooc微电子电路基础章节测试答案

第1周——PN结

1.1 PN结的简介随堂测验

1、P型半导体中的多子是___,少子是___。
    A、空穴 空穴
    B、电子 电子
    C、空穴 电子
    D、电子 空穴

1.2 PN结的平衡状态随堂测验

1、平衡PN结的两端___电势差，P端电势比N型电势___。
    A、有 高
    B、有 低
    C、无 相同
    D、不一定 不一定

1.3 能带图随堂测验

1、 利用平衡时掺杂浓度与内建电场的数学关系公式，请选择缓变PN结（杂质掺杂浓度与位置X的函数是具有斜率的一条直线，如图1所示）中，内建电场的函数表达式是_____？
    A、平行于X轴的直线
    B、具有斜率的一条直线
    C、二次曲线的一段
    D、不清楚

第一周 PN结作业

1、课堂上已学习并理解了突变PN结的杂质浓度分布导致内建电场、内建电势分布，如图所示 当杂质浓度分布如图2所示，即称为单边突变PN+结的情况。请作答： 图3所示的内建电场分布图是否正确？为什么？ 图4所示的内建电势的分布图是否正确？为什么？

第2周——MOS晶体管原理

2.1 MOS结构的阈值电压随堂测验

1、体效应在 中， 非线性影响。
    A、MOSFET 引入
    B、MOSFET 不引入
    C、MOS结构 引入
    D、MOS结构 不引入

2.2 MOSFET的直流电流电压关系随堂测验

1、有效沟道长度调制效应对短沟道（L尺寸小）MOSFET ，对长沟道（L尺寸大）MOSFET 。
    A、影响小 影响大
    B、影响大 影响小
    C、无影响 无影响
    D、影响不清楚 影响不清楚

2.3 MOSFET的交流小信号参数及等效电路随堂测验

1、MOSFET交流小信号模型可以在 的情况下应用，与无源器件的模型应用情况 。
    A、无任何直流 相同
    B、任意直流 相同
    C、特定直流 相同
    D、特定交流 相同

第二章作业

1、

2、

3、

4、

第3周——单级放大器

3.1 模拟电路基础概念随堂测验

1、对于一个工作在饱和区的NMOS晶体管，在保持偏置电流不变的情况下如何提高输出电阻？
    A、增加W
    B、减小W
    C、增加L
    D、减小L

2、如下图所示的等效电路，以下说法正确的是：
    A、未考虑衬底调制和沟道长度调制
    B、未考虑衬底调制，考虑沟道长度调制
    C、考虑衬底调制，未考虑沟道长度调制
    D、考虑衬底调制和沟道长度调制

3.2 基本共源放大器随堂测验

1、对于下图所示电路，如果Vin=VDD，那么M1最有可能处于
    A、截止区
    B、线性区
    C、深线性区
    D、饱和区

3.3 共源放大器的拓展随堂测验

1、如下图所示的电路，随着RS的增加，以下说法正确的是：
    A、增益提高，线性度提高
    B、增益提高，线性度降低
    C、增益降低，线性度提高
    D、增益降低，线性度降低

3.4 源极跟随器随堂测验

1、源极跟随器常用来作为缓冲级，是因为它具有：
    A、高输入电阻，高输出电阻
    B、高输入电阻，低输出电阻
    C、低输入电阻，高输出电阻
    D、低输入电阻，低输出电阻

3.6 共源共栅放大器随堂测验

1、考虑下图中所示电路的输出电阻，最接近的选项是
    A、gmro^2
    B、gm^2 *ro^2
    C、gm^2*ro^3
    D、gm^3*ro^3

第三周作业

1、

2、

3、

第4周——差分放大器

第四周作业

1、

2、

3、

4、

第5周——频率响应

第五周作业

1、

2、

3、

4、

第6周——反馈和运算放大器

第六周作业

1、

2、

第7周——数字电路基础

第七周作业

1、1. 一个正向脉冲作用于反相器，从输入前沿到输出前沿的时间间隔为7ns。这个参数是 A. 速度功率乘积 B. 传播延迟 C. 传播延迟 D. 脉冲宽度

2、2. 异或门和同或门在逻辑运算上有何区别 A. 相反 B. 相同 C. 有点不同 D. 很大不同

3、3. 当反相器的输入为高电平时，输出是 A. 高 B. 低 C. 高阻 D. 不定

4、

5、

第8周——CMOS数字电路

第八周作业

1、

2、

第9周——课程设计

第9、10周课程设计

1、

***.?